LT3042及中国产替代

 LT3042 是一款高性能、低压差线性稳压器,采用超低噪声和超高 PSRR 架构,适合为噪声敏感型应用供电。

RF电源:PLL、VCO、混频器、低噪声放大器
(LNA)
 超低噪声仪表
 高速/高精度数据转换器
 医疗应用:成像、诊断
 高精度电源
 用于开关电源的后置稳压器

将其用在低电平音频放大器也是非常的合适,尤其是唱头放大器,前级放大器。

LT3042特点

 超低RMS噪声:
0.8μVRMS (10Hz至100kHz)
 超低噪声密度:2nV/ Hz(在10kHz)
 超高PSRR: 117dB(在120Hz)
91dB(在10KHz)
78dB(在100KHz)
79dB(在1MHz)
56dB(在10MHz)
 输出电流:200mA
 宽输入电压范围:1.8V至20V
 单个电容器改善噪声和PSRR
 高带宽:1MHz
 可编程电流限制
 压差:350mV
 输出电压范围:0至15V
 快速启动能力
 高精度使能/UVLO
 具有内部折返电流限制
 可由单个电阻器设置输出电压  100μA SET 引脚电流:±1% 初始精度
 可编程电源良好信号
 可并联多个器件以降低噪声和提供更高电流
 最小输出电容器:4.7μF (陶瓷)
 反向电池和反向电流保护

中国产Tokmas(托克马斯)LT3042特点  超低RMS噪声:
1.6μVRMS (VIN=4V,VOUT =3V,IOUT=10mA, 10Hz至100kHz)
 超低噪声密度:3nV/ Hz(在10kHz)
 超高PSRR: 120dB(在100Hz)
118dB(在10KHz)
95dB(在100KHz)
78dB(在1MHz)
40dB(在10MHz)
 输出电流:200mA
 宽输入电压范围:2.4V至20V
 单个电容器改善噪声和PSRR
 高带宽:1MHz
 可编程电流限值
 压差:350mV @200mA
 输出电压范围:0.5V至16V
 快速启动能力
 高精度使能/UVLO
 具有内部折返电流限制
 通过外部电阻配置输出电压

中国产GONGMOSEMI(共模半导体)GM1200特点 超低RMS噪声:0.8µV_RMS
超低点噪声:2.8nV/√Hz(在10kHz)
超高PSRR:70dB(在1MHz)
输出电流:200mA
宽输入电压范围:2.6V至20V
单个SET pin电容改善噪声和PSRR
100µA SET引脚电流:±1%初始精度
单个SET pin电阻器设置输出电压
可编程电流限值
低压差电压:233mV
输出电压范围:1.5V至15V
可编程电源良好
快速启动能力
高精度使能/欠压闭锁
可并联多个器件以降低噪声和提供较高的电流
第二重保护功能:内部电流限制
最小输出电容:4.7µF(陶瓷)
10引脚MSOP和3mmx3mm DFN封装
可完全兼容LT3042
通过AEC – Q100车规认证

Inbisen(英彼森半导体)IBSP3030 超低RMS噪声:1.6μVRMS (VN = 4V,VOUT = 3V,IOUT = 10mA,10Hz至100kHz)
超低噪声密度:3nV/√Hz (在10kHz)
超高PSRR:120dB(在100Hz),118dB(在10kHz),95dB(在100kHz),78dB(在1MHz),40dB(在10MHz)
输出电流:200mA
宽输入电压范围:2.4V至20V
单个电容器改善噪声和PSRR
高带宽:1MHz
可编程电流限值
压差:350mV @200mA
输出电压范围:0.5V至16V
快速启动能力
高精度使能/UVLO
具有内部折返电流限制
通过外部电阻配置输出电压